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Datasheet 搜索 > 钽电容 > VISHAY(威世) > 199D106X9035D1V1E3 Datasheet 文档
199D106X9035D1V1E3
2.251
199D106X9035D1V1E3 数据手册 (7 页)
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199D106X9035D1V1E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
电容
10 µF
封装
Radial
引脚间距
2.54 mm
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
额定电压
35 V

199D106X9035D1V1E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
高度
10.16 mm
工作温度
-55℃ ~ 125℃

199D106X9035D1V1E3 数据手册

VISHAY(威世)
7 页 / 0.11 MByte

199D106X9035D1V1 数据手册

VISHAY(威世)
钽电容, 10uF, 35V, 径向引线
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  199D106X9035D1V1  钽电容, 10uF, 35V, 径向引线
Vishay Intertechnology
VISHAY(威世)
199D 系列 10 uF ±10 % 35 V 径向 固体 电解质钽电容
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  199D106X9035D1V1E3  钽电容, 10uF, 35V, 径向引线
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