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199D335X9035B1V1
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199D335X9035B1V1 数据手册 (7 页)
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199D335X9035B1V1 技术参数、封装参数

类型
描述
额定电压(DC)
35 V
电容
3.3 µF
容差
±10 %
封装
Radial Leaded
引脚间距
2.54 mm
零部件系列
199D

199D335X9035B1V1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
高度
7.62 mm
直径
Φ5mm

199D335X9035B1V1 数据手册

VISHAY(威世)
7 页 / 0.13 MByte

199D335X9035B1 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  199D335X9035B1V1E3  钽电容, 3.3uF, 35V, 径向引线
VISHAY(威世)
199D 系列Vishay 199D 将经济型和高性能完美融合于这些径向引线、固体电解质 Tantalex® 电容器中。 199D 系列电气参数稳定、可靠性高、工作寿命长;非常适用于需要高容积效率的地方。
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
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