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1N3312RB
36.61
1N3312RB 数据手册 (3 页)
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1N3312RB 技术参数、封装参数

类型
描述
容差
±5 %
封装
DO-203AB
正向电压
1.5V @10A
稳压值
13 V
正向电压(Max)
1.5V @10A
额定功率(Max)
50 W
耗散功率(Max)
50 W

1N3312RB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-65℃ ~ 175℃

1N3312RB 数据手册

Microsemi(美高森美)
3 页 / 0.36 MByte
Microsemi(美高森美)
3 页 / 0.06 MByte
Microsemi(美高森美)
10 页 / 0.12 MByte

1N3312 数据手册

Motorola(摩托罗拉)
Naina Semiconductor
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Solid State
SOLID STATE  1N3312B  齐纳二极管, Vz: 13V
Microsemi(美高森美)
Microchip(微芯)
Microsemi(美高森美)
Microchip(微芯)
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