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1N4755DP/TR12
器件3D模型
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1N4755DP/TR12 数据手册 (3 页)
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1N4755DP/TR12 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
DO-41
功耗
1 W
稳压值
43 V

1N4755DP/TR12 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

1N4755DP/TR12 数据手册

Microsemi(美高森美)
3 页 / 0.16 MByte
Microsemi(美高森美)
3 页 / 0.06 MByte
Microsemi(美高森美)
10 页 / 0.12 MByte

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