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1N5221B (DO-35)
器件3D模型
0.853
1N5221B (DO-35) 数据手册 (3 页)
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1N5221B (DO-35) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
2.40 V
封装
DO-35
额定功率
500 mW

1N5221B (DO-35) 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Cut Tape (CT)
材质
Glass

1N5221B (DO-35) 数据手册

Microsemi(美高森美)
3 页 / 0.18 MByte

1N5221 数据手册

Microsemi(美高森美)
硅500 mW的稳压二极管 SILICON 500 mW ZENER DIODES
Micro Commercial Components(美微科)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
Vishay Semiconductor(威世)
Fairchild(飞兆/仙童)
LiteOn(光宝)
ST Microelectronics(意法半导体)
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