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1N5712#T25
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1N5712#T25 数据手册 (7 页)
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1N5712#T25 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
DO-204AH
功耗
250 mW
耗散功率(Max)
250 mW

1N5712#T25 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

1N5712#T25 数据手册

Broadcom(博通)
7 页 / 0.24 MByte
Broadcom(博通)
1 页 / 0.01 MByte

1N5712 数据手册

Microsemi(美高森美)
肖特基势垒二极管无铅封装用于表面安装 SCHOTTKY BARRIER DIODES LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT
AVAGO Technologies(安华高科)
低 1/f 噪声通用型肖特基二极管
Broadcom(博通)
Microchip(微芯)
HP(惠普)
TE Connectivity(泰科)
New Jersey Semiconductor
Microsemi(美高森美)
肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODES
Broadcom(博通)
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