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1PMT12AT1
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1PMT12AT1 数据手册 (6 页)
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1PMT12AT1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
2 Pin

1PMT12AT1 数据手册

Littelfuse(力特)
6 页 / 0.11 MByte

1PMT12 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  1PMT12AT1G  TVS Diode, 1PMT Series, Unidirectional, 12 V, 19.9 V, DO-216AA, 2 Pins 新
ON Semiconductor(安森美)
1PMT12AT1 瞬态抑制二极管TVS/ESD 12V 10.1A 1.5W 457-04 标记MLE
ON Semiconductor(安森美)
齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package
ON Semiconductor(安森美)
齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package
Littelfuse(力特)
齐纳瞬态电压抑制器,采用 POWERMITE® 封装1PMT5.0AT1G/T3G 系列设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:200W @ 1 ms (1PMT5.0A − 1PMT36A) 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 响应时间通常为 < 1ns 3 类 ESD 等级> (16kV)/个人体模型 薄型 - 最大高度 1.1mm 整体式散热片/锁定插片 全金属底部,可消除通量截留 小体积 - 占用面积 8.45mm POWERMITE 在 JEDEC 注册为 DO-216AA### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Littelfuse(力特)
Littelfuse(力特)
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