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1PMT12AT1G
0.194
1PMT12AT1G 数据手册 (6 页)
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1PMT12AT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
封装
DO-216AA
针脚数
2 Position
钳位电压
19.9 V
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
14.7 V
脉冲峰值功率
200 W
最小反向击穿电压
13.3 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

1PMT12AT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
2.05 mm
宽度
2.18 mm
高度
1.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

1PMT12AT1G 数据手册

Littelfuse(力特)
6 页 / 0.11 MByte
Littelfuse(力特)
2 页 / 0.1 MByte

1PMT12AT1 数据手册

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齐纳瞬态电压抑制器,采用 POWERMITE® 封装1PMT5.0AT1G/T3G 系列设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:200W @ 1 ms (1PMT5.0A − 1PMT36A) 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 响应时间通常为 < 1ns 3 类 ESD 等级> (16kV)/个人体模型 薄型 - 最大高度 1.1mm 整体式散热片/锁定插片 全金属底部,可消除通量截留 小体积 - 占用面积 8.45mm POWERMITE 在 JEDEC 注册为 DO-216AA### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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