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器件3D模型
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1PS79SB70,115 数据手册 - NXP(恩智浦)
制造商:
NXP(恩智浦)
分类:
肖特基二极管
封装:
SOD-523
描述:
肖特基势垒二极管,最大 120mA,NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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1PS79SB70,115 数据手册 (20 页)
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1PS79SB70,115 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
封装
SOD-523
正向电压
1V @15mA
热阻
450℃/W (RθJA)
正向电流
15 mA
最大正向浪涌电流
100 mA
正向电压(Max)
1 V
正向电流(Max)
70 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
工作结温
150℃ (Max)
查看数据手册 >
1PS79SB70,115 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.25 mm
宽度
0.85 mm
高度
0.65 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃
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1PS79SB70,115 数据手册
1PS79SB70,115
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NXP(恩智浦)
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1PS79SB70,115
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206 页 / 0.21 MByte
1PS79 数据手册
1PS79
SB70,115
数据手册
Nexperia(安世)
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
1PS79
SB30
数据手册
NXP(恩智浦)
NXP 1PS79SB30 小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
1PS79
SB30,115
数据手册
Nexperia(安世)
Nexperia 二极管 1PS79SB30,115 肖特基, Io=200mA, Vrev=40V, 2引脚 I-IGIA封装
1PS79
SB31
数据手册
NXP(恩智浦)
NXP 1PS79SB31 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C
1PS79
SB31,115
数据手册
Nexperia(安世)
Nexperia 二极管 1PS79SB31,115 肖特基, Io=200mA, Vrev=30V, 2引脚 I-IGIA封装
1PS79
SB31,115
数据手册
NXP(恩智浦)
200mA 至 500mA,NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
1PS79
SB10,115
数据手册
NXP(恩智浦)
200mA 至 500mA,NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
1PS79
SB30,115
数据手册
NXP(恩智浦)
200mA 至 500mA,NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
1PS79
SB10,115
数据手册
Nexperia(安世)
肖特基势垒二极管,200mA 至 500mA,Nexperia高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
1PS79
SB10
数据手册
NXP(恩智浦)
NXP 1PS79SB10 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
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