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1SMA26AT3
器件3D模型
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1SMA26AT3 数据手册 (6 页)
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1SMA26AT3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
工作电压
26 V
封装
DO-214AC-2
击穿电压
28.9 V
钳位电压
42.1 V
最大反向电压(Vrrm)
26V
脉冲峰值功率
400 W
最小反向击穿电压
28.9 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

1SMA26AT3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

1SMA26AT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte

1SMA26 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
1SMA 系列 31.9 V 400 W 双向 功率 齐纳 瞬态电压抑制二极管
Littelfuse(力特)
400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
400瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
ON Semiconductor(安森美)
400瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
Littelfuse(力特)
Motorola(摩托罗拉)
Motorola(摩托罗拉)
Littelfuse(力特)
Littelfuse(力特)
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