2MBI100VA-120-50 数据手册 - FUJI（富士电机）

FUJI ELECTRIC  2MBI100VA-120-50  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.75 V, 555 W, 1.2 kV, Module

FUJI ELECTRIC  2MBI100U4A-120-50  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 2.2 V, 540 W, 1.2 kV, Module

FUJI ELECTRIC  2MBI100TA-060-50  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module

IGBT 模块，2 个装，Fuji ElectricV - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT ### IGBT 分立件和模块，Fuji Electric绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 模块，2 个装，Fuji Electric V - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。