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2N2102LEADFREE
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2N2102LEADFREE 数据手册
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2N2102LEADFREE 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-39
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
65 V
集电极最大允许电流
1A

2N2102LEADFREE 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

2N2102 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
通用放大器和开关 GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND SWITCH
Multicomp
MULTICOMP  2N2102  单晶体管 双极, NPN, 65 V, 60 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE
Microsemi(美高森美)
Central Semiconductor
Continental Device
Boca Semiconductor(博卡半导体)
New Jersey Semiconductor
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
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