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2N2919U
40.698
2N2919U 数据手册 (1 页)
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2N2919U 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SMD-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
0.03A
最小电流放大倍数
150 @1mA, 5V
额定功率(Max)
350 mW
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
350 mW

2N2919U 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
工作温度
200℃ (TJ)

2N2919U 数据手册

Microsemi(美高森美)
1 页 / 0.42 MByte

2N2919 数据手册

Microsemi(美高森美)
NPN硅晶体管双 NPN SILICON DUAL TRANSISTOR
Central Semiconductor
Microsemi(美高森美)
NPN硅晶体管双 NPN SILICON DUAL TRANSISTOR
Microsemi(美高森美)
NPN硅晶体管双 NPN SILICON DUAL TRANSISTOR
Central Semiconductor
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