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2N3251AUB
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2N3251AUB 数据手册 (4 页)
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2N3251AUB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SMD-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
0.2A
最小电流放大倍数
100 @10mA, 1V
额定功率(Max)
360 mW

2N3251AUB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

2N3251AUB 数据手册

Microsemi(美高森美)
4 页 / 0.12 MByte

2N3251 数据手册

Central Semiconductor
Microsemi(美高森美)
PNP双极晶体管 PNP BIPOLAR TRANSISTOR
Multicomp
MULTICOMP  2N3251A  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 360 mW, 200 mA, 50 hFE
Microsemi(美高森美)
PNP硅低功率晶体管 PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR
National Semiconductor(美国国家半导体)
Central Semiconductor
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