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2N3810U
30.408
2N3810U 数据手册 (3 页)
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2N3810U 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
6 Pin
封装
TO-78-6
极性
PNP
功耗
0.35 W
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
0.05A
最小电流放大倍数
150 @1mA, 5V
额定功率(Max)
350 mW
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
350 mW

2N3810U 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

2N3810U 数据手册

Microsemi(美高森美)
3 页 / 0.11 MByte
Microsemi(美高森美)
17 页 / 0.13 MByte

2N3810 数据手册

Microsemi(美高森美)
PNP硅晶体管双 PNP SILICON DUAL TRANSISTOR
Central Semiconductor
Solid State
SOLID STATE  2N3810  双极晶体管阵列, PNP, -60 V, 600 mW, -50 mA, 150 hFE, TO-78
Microchip(微芯)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTs
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