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2N4392-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

JFET晶体管

封装:

TO-18

描述:

VISHAY 2N4392-E3 晶体管, JFET, JFET, -55 V, 25 mA, 75 mA, -5 V, TO-18, JFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N4392-E3 数据手册 (7 页)

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2N4392-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电流

50.0 mA

封装

TO-18

击穿电压

-55.0 V

漏源极电阻

60 Ω

极性

N-Channel

功耗

1800 mW

漏源击穿电压

0.4 V

栅源击穿电压

40 V

连续漏极电流(Ids)

25.0 mA

工作温度(Max)

200 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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2N4392-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Bulk

高度

5.33 mm

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2N4392-E3 符合标准

2N4392-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

7 页 / 0.05 MByte

2N4392-E3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

6 页 / 0.05 MByte

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2N 系列 40 V 75 mA N 沟道结型场效应晶体管 - TO-18

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