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2N4449UB
21.825
2N4449UB 数据手册 (2 页)
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2N4449UB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SMD
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
20 V
最小电流放大倍数
20 @100mA, 1V
额定功率(Max)
360 mW
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
400 mW

2N4449UB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bag
材质
Silicon
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

2N4449UB 数据手册

Microsemi(美高森美)
2 页 / 0.04 MByte
Microsemi(美高森美)
2 页 / 0.06 MByte

2N4449 数据手册

Microsemi(美高森美)
硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Microchip(微芯)
Central Semiconductor
Microsemi(美高森美)
硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Microsemi(美高森美)
硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Microchip(微芯)
Microsemi(美高森美)
硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Microsemi(美高森美)
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