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2N5154ESYHRB
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2N5154ESYHRB 数据手册 (10 页)
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2N5154ESYHRB 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-257
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
5A

2N5154ESYHRB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

2N5154ESYHRB 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
10 页 / 0.53 MByte

2N5154 数据手册

Microsemi(美高森美)
NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
Central Semiconductor
New Jersey Semiconductor
Microsemi(美高森美)
NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
Microsemi(美高森美)
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
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