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2N7000_D75Z
0.044
2N7000_D75Z 数据手册 (12 页)
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2N7000_D75Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-226-3
功耗
400mW (Ta)
漏源极电压(Vds)
60 V
输入电容值(Ciss)
50pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
400mW (Ta)

2N7000_D75Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2N7000_D75Z 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.42 MByte

2N7000D75 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
N沟道 60V 200mA
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
TI(德州仪器)
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