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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > 2N7000KL Datasheet 文档
2N7000KL
0.078

2N7000KL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-226
漏源极电阻
5.00 Ω
极性
N-Channel
功耗
400 mW
漏源极电压(Vds)
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
200 mA

2N7000KL 数据手册

VISHAY(威世)
1 页 / 0.18 MByte
VISHAY(威世)
4 页 / 0.06 MByte

2N7000 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7000  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET 200毫安, 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92
CJ(长电科技)
N沟道,60V,0.2A,6Ω@4.5V
Diotec Semiconductor
N沟道 60V 200A
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  2N7000  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.8 ohm, 4.5 V, 2.1 V
NTE Electronics
Luguang Electronic
Supertex(超科)
National Semiconductor(美国国家半导体)
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Motorola(摩托罗拉)
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