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2N7008-G P005
0.256
2N7008-G P005 数据手册 (4 页)
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2N7008-G P005 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-92-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
7.5 Ω
漏源击穿电压
60 V

2N7008-G P005 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

2N7008-G P005 数据手册

Microchip(微芯)
4 页 / 0.32 MByte

2N7008 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
Supertex(超科)
Microchip(微芯)
Motorola(摩托罗拉)
Microchip(微芯)
2N7008 N 通道 MOSFET 晶体管Microchip 2N7008 是增强模式(常闭)晶体管,利用垂直 DMOS 结构。 该设计将 Bipolar 晶体管的功率处理能力与高输入阻抗和正温度系数 MOS 设备相结合。### 特点无次级击穿 低电源驱动要求 易于执行并联操作 低 CISS 和快速切换速度 极好的热稳定性 一体式电源漏极二极管 高输入阻抗和高增益 ### MOSFET 晶体管,Microchip
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