2N7371

￥ 234.7

2N7371 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

封装:

TO-254

描述:

PNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2N7371 数据手册 (2 页)

2N7371 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-254

极性

PNP

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

集电极最大允许电流

12A

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

100000 mW

查看数据手册 >

2N7371 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

查看数据手册 >

2N7371 符合标准

2N7371 数据手册

2N7371 数据手册

Microsemi（美高森美）

2 页 / 0.05 MByte

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Microsemi（美高森美）

7 页 / 0.49 MByte

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