2PA1774R 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 180~390 @-6V，-0.001A 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −200mV/-0.2V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| PNP general purpose transistor • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 40 V). • General purpose switching and amplification in communication, electronic data processing (EDP) and consumer applications. • PNP transistor in an SC-75 plastic package. • NPN complement: 2PC4617. 描述与应用| PNP通用晶体管 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大40 V）。 •通用开关和放大通信，电子数据处理（EDP）和消费类应用。 •在SC-75塑料封装的PNP晶体管。 •NPN补充：2PC4617。