2SA1036K 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | −40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −600mV/-0.6V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | SURFACE MOUNT Medium Power PNP Transistor Features 1) Large IC. ICMAX.= -500mA 2) Low VCE(sat).Ideal for low-voltage operation. 3) Complements the 2SC2411K. 描述与应用 | 表面贴装中等功率PNP晶体管 特点 1）大型IC。 ICMAX=500毫安 2）低VCE（SAT）。非常适于低电压操作。 3）补充2SC2411K