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2SA1162GRT5LFT
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2SA1162GRT5LFT 数据手册 (4 页)
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2SA1162GRT5LFT 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
S-Mini-3
功耗
150 mW
最小电流放大倍数
200
最大电流放大倍数
400
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

2SA1162GRT5LFT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
长度
2.9 mm
宽度
1.5 mm
高度
1.1 mm

2SA1162GRT5LFT 数据手册

Toshiba(东芝)
4 页 / 0.16 MByte

2SA1162GRT5 数据手册

Toshiba(东芝)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor
Toshiba(东芝)
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