2SA1213-Y 数据手册 - Toshiba（东芝）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 120MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~240 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Silicon PNP Epitaxial Type Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max) (IC = −1 A) • High speed switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Small flat package • PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate) • Complementary to 2SC2873 描述与应用| 硅PNP外延型 功率放大器应用 电源开关应用 •低饱和电压VCE（sat）=-0.5 V（最大值）（IC=-1 A） •高速开关时间：TSTG=1.0微秒（典型值） •小型扁平封装 •PC=1.0〜2.0 W（安装在陶瓷基板上） •互补2SC2873