2SA1418S-TD 数据手册 - Sanyo Semiconductor（三洋）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -180V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| -160V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -700mA/-0.7A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 120MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 140~280 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -120mV/-0.12V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| PNP/NPN Epitaxial planar silicon transistors High-voltage switching Predriver applications Features · Adoption of FBET, MBIT processes. · High breakdown voltage and large current capacity. · Fast switching time. · Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid ICs. 描述与应用| PNP/ NPN外延平面硅晶体管 高压开关 预驱动器应用 特点 ·采用FBET，MBIT过程。 ·高击穿电压和大电流的能力。 ·快速开关时间。 ·体积非常小，因此很容易提供高密度，小尺寸的混合集成电路。