2SA1514 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| -120V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 140MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 180~560 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| high-voltage amplifier transistor Features 1) High breakdown voltage. (BVCEO = −120V) 2) Complements the 2SC4102 / 2SC3906K 描述与应用| 高电压放大器晶体管 特点 1）高的击穿电压。 （BVCEO=120V） 2）补充2SC4102/2SC3906K