2SA1727-Q 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -400V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| -400V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 12MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 82~164 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -1000mV/-1V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1W Description & Applications| High-voltage Switching Transistor Features 1) High breakdown voltage, BVCEO= 400V. 2) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = 0.3V at IC / IB = 100mA / 10mA. 3) High switching speed, typically tf : 1 s at IC = 100mA. 4) Wide SOA (safe operating area). 描述与应用| 高压开关晶体管 特点 1）高击穿电压BVCEO= 400V。 2）低饱和电压，通常VCE（sat）的IC / IB= 0.3V=100mA/10毫安的。 3）高开关速度，通常是TF：IC=100MA1秒。 4）宽安全工作区（SOA）