2SA2018 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -15V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| -12V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 260MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 270~680 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial Transistor Low frequency transistor Applications For switching, for muting. Features collector current is large. Collector saturation voltage is low. 描述与应用| PNP硅外延晶体管 低频晶体管 应用 对于开关，静音。 特点 集电极电流大。 集电极饱和电压低。