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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ROHM Semiconductor(罗姆半导体) > 2SA854STPQ Datasheet 文档
2SA854STPQ
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2SA854STPQ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
-32.0 V
额定电流
-500 mA
封装
SC-72
极性
PNP
功耗
300 mW
增益频宽积
200 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
32 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
120 @100mA, 3V
最大电流放大倍数
120 @100mA, 3V
额定功率(Max)
300 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

2SA854STPQ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Box (TB)
长度
4 mm
宽度
2 mm
高度
3 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2SA854STPQ 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.06 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.07 MByte

2SA854 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
中等功率晶体管( -32V , -0.5A ) Medium Power Transistor (-32V, -0.5A)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
中等功率晶体管( -32V , -0.5A ) Medium Power Transistor (-32V, -0.5A)
CJ(长电科技)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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