2SB1115 数据手册 - NEC（日本电气）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 120MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 300~600 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 2W Description & Applications | PNP Silicon epitaxial planar transistor Applications Audio frequency power amplifier and switching application Features World standard miniature package High DC current gain Low VCE Complement to 2SD1615 描述与应用 | PNP硅外延平面晶体管 应用 音频功率放大器和开关应用 特点 世界标准的微型封装 高直流电流增益 低VCE 补充2SD1615