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2SB1188T100
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2SB1188T100 数据手册
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2SB1188T100 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
MPT
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
32 V
集电极最大允许电流
2A

2SB1188T100 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

2SB1188 数据手册

CJ(长电科技)
三极管
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
中等功率晶体管( -32V , -2A ) Medium power transistor (-32V, -2A)
UTC(友顺)
PNP 硅晶体管 中等功率低电压晶体管
Weitron Technology
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
PNP -32V -2A功率晶体管
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  2SB1188T100Q  单晶体管 双极, PNP, -32 V, 100 MHz, 500 mW, -2 A, 82 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
中功率晶体管( -32V , -2A ) MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SB1188-R PNP三极管 -40V -2A 100MHz 180~390 -800mV/-0.8V SOT-89/SC-62 marking/标记 BCR
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SB1188-Q PNP三极管 -40V -2A 100MHz 120~270 -800mV/-0.8V SOT-89/MPT marking/标记 BCQ
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