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2SB1243TV2R
2.286
2SB1243TV2R 数据手册 (4 页)
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2SB1243TV2R 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-3.00 A
封装
SIP-3
极性
PNP, P-Channel
功耗
1 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
3A
最小电流放大倍数
180
最大电流放大倍数
180 @500mA, 3V
额定功率(Max)
1 W
直流电流增益(hFE)
82
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

2SB1243TV2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Ammo Pack
长度
6.8 mm
宽度
2.5 mm
高度
4.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2SB1243TV2R 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.16 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.08 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

2SB1243TV2 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 3A
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
功率晶体管( -60V , -3A ) Power Transistor (-60V, -3A)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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