2SB1260 T100P 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −80V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 82~180 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial planar transistor Power Transistor Features 1) High breakdown voltage and high current. 2) Good hFE linearity. 3) Low VCE(sat). 4) Complements to 2SD1898. 描述与应用| PNP硅外延平面晶体管 功率晶体管 特点 1）高击穿电压和高电流。 2）良好的HFE线性。 3）低VCE（sat）的。 4）补充型2SD1898。