2SB1427 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 90MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 390~820 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial planar transistor Power transistor Features 1) Low saturation voltage, 2) Excellent DC current gain characteristics. 描述与应用| PNP硅外延平面晶体管 功率晶体管 特点 1）低饱和电压， 2）优秀DC电流增益特性。