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2SB647-D-AP
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2SB647-D-AP 数据手册
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2SB647-D-AP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-92
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
1A

2SB647-D-AP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
End of Life

2SB647-D-AP 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
4 页 / 0.54 MByte

2SB647 数据手册

CJ(长电科技)
2SB647 100-200 定型脚 编带
HITACHI(日立)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
PNP硅外延 Silicon PNP Epitaxial
UTC(友顺)
PNP外延硅晶体管
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) 2SB647A B647A TO-92MOD 100-200
Micro Commercial Components(美微科)
Micro Commercial Components(美微科)
Micro Commercial Components(美微科)
Micro Commercial Components(美微科)
HITACHI(日立)
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