2SB805 数据手册 - NEC（日本电气）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −100V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -700mA/-0.7A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 75MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200~400 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 2W Description & Applications| PNP silicon epitaxial transistor power mini mold high collector to emitter complementary to 2SD1006 and 2SD1007 描述与应用| PNP硅外延晶体管电源小型模具 高集电极到发射极电压; 互补2SD1006 2SD1007