2SC2413K T146N 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 25V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 82~180 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 300mV/0.3V 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| High-frequency Amplifier Transistor Features Low collector capacitance. Low rbb, high gain, and excellent noise characteristics. 描述与应用| 高频晶体管放大器 特点 低集热电容。 RBB低，高增益和优良的噪音特性。