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2SC3356-A
0.496
2SC3356-A 数据手册 (9 页)
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2SC3356-A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
功耗
200 mW
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
增益
11.5 dB
最小电流放大倍数
50 @20mA, 10V
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

2SC3356-A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
材质
Silicon
高度
1.3 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2SC3356-A 数据手册

California Eastern Laboratories
9 页 / 1.6 MByte
California Eastern Laboratories
7 页 / 0.21 MByte

2SC3356 数据手册

NEC(日本电气)
2SC3356 NPN三极管 20V 100mA/0.1A 7GHz 80~160 10V SOT-23/SC-59 marking/标记 R24 微波低噪声放大器
UTC(友顺)
高频低噪声放大器
Renesas Electronics(瑞萨电子)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Micro Commercial Components(美微科)
ChendaHang(辰达行)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
SLKOR(韩国萨科微)
三极管
California Eastern Laboratories
Renesas Electronics(瑞萨电子)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
California Eastern Laboratories
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