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2SC3649S-TD-E 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-89

描述:

单晶体管双极, NPN, 160 V, 120 MHz, 1.5 W, 1.5 A, 140 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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封装尺寸在1 页 6 页

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2SC3649S-TD-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

SOT-89

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

1.5 W

增益频宽积

120 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

160 V

集电极最大允许电流

1.5A

最小电流放大倍数

100 @100mA, 5V

最大电流放大倍数

280

额定功率(Max)

500 mW

直流电流增益(hFE)

140

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500 mW

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2SC3649S-TD-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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2SC3649S-TD-E 符合标准

2SC3649S-TD-E 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.33 MByte

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7 页 / 0.34 MByte

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2 页 / 0.04 MByte

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