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2SC4226-A
器件3D模型
1.07
2SC4226-A 数据手册 (8 页)
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2SC4226-A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SC-70-3
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
增益
9 dB
最小电流放大倍数
40 @7mA, 3V
额定功率(Max)
150 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

2SC4226-A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
高度
0.9 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2SC4226-A 数据手册

California Eastern Laboratories
8 页 / 1.36 MByte
California Eastern Laboratories
7 页 / 0.21 MByte
California Eastern Laboratories
8 页 / 0.05 MByte

2SC4226 数据手册

Renesas Electronics(瑞萨电子)
NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
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2SC4226 NPN三极管 20V 100mA/0.1A 4.5Ghz 70~140 SOT-323/SC-70 marking/标记 R24 高频放大器
Galaxy Semi-Conductor
NXP(恩智浦)
TY Semiconductor
UTC(友顺)
Leshan Radio(乐山无线电)
NEC(日本电气)
2SC4226-T1 R24档
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