2SC5161-B 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 400V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 400V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 10MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 25~50 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| <1V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| High Voltage Switching Transistor Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.15V (Typ.) (IC / IB = 1A / 0.2A) 2) High breakdown voltage. VCEO = 400V 3) Fast switching. tr = 1.0µs (IC = 0.8A) structure Three-layer, diffused planar type NPN silicon transistor 描述与应用| 高电压开关晶体管 特点 1）低VCE（sat）的。 VCE（星期六）=0.15V（典型值） （IC / IB=1A /​​0.2A） 2）高的击穿电压。 VCEO= 400V 3）快速切换。 TR =1.0μS （IC=0.8A） 结构 三层，扩散平面型 NPN硅晶体管