2SC5245 数据手册 - Sanyo Semiconductor（三洋）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 10V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 30mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 11GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 135~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Silicon NPN epitaxial planar type UHF to S-band low noise amp，OSC application ■ Features • High gain |S21e|

●2=10db • Low noise NF=0.9db • high cutoff frequency fT=11GHZ • low voltage ，low current operation 描述与应用| NPN硅外延平面型 UHF到S波段低噪声放大器，OSC应用 ■特点 •高增益| S21E|

●2= 10db，干扰 •低噪声NF=0.9分贝。 •高截止频率fT=11GHz的 •低电压，低电流操作