2SC5433 数据手册 - NEC（日本电气）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 10V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 65mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 7GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 80~145 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 125mW/0.125W Description & Applications| NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION FEATURE • Ultra super mini-mold thin flat package (1.4 mm × 0.8 mm × 0.59 mm: TYP.) 描述与应用| NPN外延硅晶体管 高频低噪声放大 特写 超超超小型模具薄型扁平封装 （1.4毫米×0.8毫米×0.59毫米：TYP。）