￥ 1.37

2SC5508-T2-A 数据手册 - California Eastern Laboratories

制造商:

California Eastern Laboratories

分类:

双极性晶体管

封装:

MiniMold-Flat-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2SC5508-T2-A 数据手册 (10 页)

引脚图在8 页Hot

封装尺寸在8 页

2SC5508-T2-A 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

2SC5508-T2-A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

MiniMold-Flat-4

功耗

115 mW

击穿电压(集电极-发射极)

3.3 V

增益

17 dB

最小电流放大倍数

50 @5mA, 2V

额定功率(Max)

115 mW

耗散功率(Max)

115 mW

查看数据手册 >

2SC5508-T2-A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.59 mm

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

2SC5508-T2-A 符合标准

2SC5508-T2-A 数据手册

California Eastern Laboratories

10 页 / 0.64 MByte

2SC5508-T2-A 其他数据使用手册

California Eastern Laboratories

7 页 / 0.21 MByte

2SC5508-T2-A 产品手册

California Eastern Laboratories

14 页 / 0.07 MByte

2SC5508T2 数据手册

2SC5508-T2 数据手册

NEC（日本电气）

2SC5508-T2B-A 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

NPN硅射频晶体管低噪声，高增益放大 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

2SC5508-T2-A 数据手册

California Eastern Laboratories

2SC5508-T2B 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

2SC5508-T2B

2SC5508-T2-A 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

NPN硅射频晶体管低噪声，高增益放大 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号