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2SC5508-T2B
0.043
2SC5508-T2B 数据手册 (10 页)
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2SC5508-T2B 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
M04
额定功率
115 mW

2SC5508-T2B 数据手册

Renesas Electronics(瑞萨电子)
10 页 / 0.21 MByte

2SC5508T2 数据手册

NEC(日本电气)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
NPN硅射频晶体管低噪声,高增益放大 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
California Eastern Laboratories
Renesas Electronics(瑞萨电子)
2SC5508-T2B
Renesas Electronics(瑞萨电子)
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