2SC5714 数据手册 - Toshiba（东芝）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 4A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 400~1000 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.15V 耗散功率PcPower Dissipation | 1.0W Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type. High-Speed Switching Applications. DC-DC Converter Applications. Strobe Applications.

●High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.5 A).

● Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.15 V (max).

● High-speed switching: tf = 90 ns (typ.). 描述与应用 | 东芝晶体管NPN硅外延型。 高速开关应用。 DC-DC转换器应用。 频闪应用。

●高直流电流增益：HFE=400至1000（IC= 0.5 A）。

●低集电极 - 发射极饱和电压VCE（sat）= 0.15 V（最大值）。

●高速开关：TF=90 ns（典型值）。