2SC5825 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV/0.2V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| Power transistor Features 1) High speed switching. (Tf : Typ. : 30ns at IC = 3A) 2) Low saturation voltage, typically (Typ. : 200mV at IC = 2A, IB = 0.2mA) 3) Strong discharge power for inductive load and capacitance load. !Applications Low frequency amplifier High speed switching Structure NPN Silicon epitaxial planar transistor 描述与应用| 功率晶体管 特点 1）高速开关。 （TF：典型：30ns的IC=3A） 2）低饱和电压，通常 （典型值200mV的IC=2A，IB =0.2毫安） 3）感性负载和放电功率强 电容负载。 应用！ 低频放大器 高速开关 结构 NPN硅外延平面型晶体管