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2SC5865TLQ
0.11
2SC5865TLQ 数据手册 (4 页)
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2SC5865TLQ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
1.00 A
封装
TSMT-3
极性
NPN
功耗
500 mW
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
120 @100mA, 2V
额定功率(Max)
500 mW
耗散功率(Max)
500 mW

2SC5865TLQ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not For New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

2SC5865TLQ 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.29 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.9 MByte

2SC5865 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SC5865 NPN三极管 60V 1A 250MHz 180~390 200mV/0.2V SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 VUR 小信号放大
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
高压放电,高速开关,低噪声( 60V , 1A ) High voltage discharge, High speed switching, Low Noise (60V, 1A)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
中等功率晶体管特点1)高速开关。 (TF:典型:80ns的在IC=500毫安的)2)低饱和电压,通常  (IB大于10mA IC=100mA时典型值150mV的)3)感性负载和放电功率强电容负载。应用低频小信号放大器高速开关结..
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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